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開關變壓器第十三講 開關變壓器漏感分析
任何變壓器都存在漏感，但開關變壓器的漏感對開關電源性能指標的影響特別重要。由于開關變壓器漏感的存在，當控制開關斷開的瞬間會產生反電動勢，容易把開關器件過壓擊穿；漏感還可以與電路中的分布電容以及變壓器線圈的分布電容組成振蕩回路，使電路產生振蕩并向外輻射電磁能量，造成電磁干擾。因...
2009-08-03
變壓器
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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay
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OLED驅動電源解決方案
本文將討論各種OLED技術和適當的偏壓電源供應電路,而關于OLED技術和驅動方法的選擇,也會影響電源供應電路的需求。工程師所面臨的挑戰為如何選擇最適當的電源供應電路,以便支持電池供電型可攜式裝置,以及特定OLED顯示器的需求。
2009-08-03
OLED驅動 被動矩陣 TPS65130 OLED顯示器
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2009-2013我國年太陽能光伏市場預測
2008年，我國太陽能電池產量約占世界總產量的三分之一，連續兩年成為世界第一大太陽能電池生產國。然而，我國光伏產品長期依賴海外市場，已成為障礙我國光伏產業健康發展的隱患，開啟國內市場是發展光伏產業的必然選擇。
2009-08-01
光伏 太陽能
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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可控硅直流穩壓電源和開關電源原理簡介
可控硅直流穩壓電源，以其強大的輸出功率，晶體管線性直流電源和開關電源無法取代。晶體管線性直流電源以其精度高，性能優越而被廣泛應用。開關電源因省去了笨重的工頻變壓器而使體積和重量都有不同程度的減少，減輕，也被廣泛地應用在許多輸出電壓、輸出電流較為穩定的場合。
2009-07-31
可控硅電源 晶體管電源 開關電源優缺點
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開關變壓器第十二講 電源鐵芯的設計風險
防止開關變壓器鐵芯出現磁飽和最簡單的另一種方法是采用反磁場，在變壓器鐵芯中安裝永久磁鐵，或在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流，并且此直流一般需要用扼流圈電感隔離，或用恒流源供電。由于在變壓器的初、次級線圈上另外增加一反向直流會降低開關電源的工作效率，以及增加成本，目前...
2009-07-29
電源鐵芯
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得可正面導線改進方案將在EU PVSEC展示
得可太陽能將利用今年的歐洲太陽能光伏展，展示標準印刷工藝如何開發以產生明顯的能效優勢。9月21至25日在德國漢堡舉行的展會上，得可的資深工藝開發專家Tom Falcon將發表關于硅太陽能電池正面導線印刷面積比改進的新論文。
2009-07-29
EU PVSEC 太陽能 正面導線改進 歐洲太陽能光伏展 硅太陽能電池 正面導線印刷面積比
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SiT9002AI：SiTime公司推出降低EMI高達16dB的差分振蕩器
SiTime公司推出降低EMI高達16dB的差分振蕩器SiT9002AI
2009-07-28
SiT9002AI 振蕩器 SiTime
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