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貿澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索電子設計中的電源效率
專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo?攜手推出全新電子書《Powering Up Your Design》（讓電源管理為設計注入活力），重點介紹新一代技術和器件如何受益于高效電源管理。本書中，來自Qorvo和貿澤的行業專家對電源管理中至關重要的元件、架構和應用進行了深入分析。
2022-02-17
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉換器的性能通常歸結到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術能兼顧這兩點。
2022-02-16
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
2022-02-15
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專為MPS IC優化的表面貼裝電感
MPS新型表面貼裝功率電感適用于各種電源和功率變換器應用。其一體成型電感和半屏蔽式系列電感的電感范圍為0.33μH至22μH，飽和電流范圍為0.8 A至64 A。
2022-02-15
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應性能的創新電源技術“QuiCurTM”
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一種新電源技術“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉換器IC在內的各種電源IC的負載響應特性*1（以下稱為“響應性能”，指后級電路工作時的響應速度和電壓穩定性）。
2022-02-14
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關自身會帶來挑戰
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優于硅基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數據中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應對市場需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉變過程中，客戶常常會遇到一些疑問或者使用問題，為此，派恩杰針對客戶的問題進行歸納總結并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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將ICT和FCT優勢結合在單個測試適配器中
一般以針床來測試不上電的電路板，使用直接數字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術生成刺激信號進行模擬測量分析，以此讓在線測試儀（ICA）測量電感、電容、阻抗和電阻等實際數據，以便確認所有被測器件（DUT）測試節點的結果在公差范圍內，以及是否有開路、短路、錯件或極性接反的問題。這些都在不上電的情況下進行測量。繼電器多路復用器可以用來連接探針觸點和電路板的模擬通道或數字驅動器/傳感器（D/S）（圖1）。
2022-02-09
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適用于電流模式DC-DC轉換器的統一的LTspice AC模型
當電源設計人員想要大致了解電源的反饋環路時，他們會利用環路增益和相位波特圖。知道環路響應可進行預測有助于縮小反饋環路補償元件的選擇范圍。
2022-02-09
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問題引起的正負向電壓尖峰更容易造成開關管誤導通或柵源極擊穿，進而增加開關損耗，嚴重時損壞開關管，因此合適的串擾抑制方法對提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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