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富昌電子榮獲Diodes授予的“2024年度亞洲最佳分銷商獎”
中國上海–2025年3月13日–近日，全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）榮獲Diodes 公司頒發(fā)的“2024年度亞洲最佳分銷商獎（Asia Best Distributor Award 2024）”。該獎項旨在表彰富昌電子在2024年度亞洲市場出色的業(yè)績表現，及雙方緊密的戰(zhàn)略合作伙伴關系。
2025-03-18
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鎧俠參展CFMS 2025：布局下一代先進存儲，持續(xù)助力高能AI
3月12日，全球領先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場峰會CFMS 2025/MemoryS 2025，在現場針對人工智能 AI應用提出了全新的存儲解決方案，并預告了全新一代的QLC企業(yè)級與數據中心級SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進存儲解決方案。
2025-03-18
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-17
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工業(yè)應用中輔助電源技術綜述
本文介紹了工業(yè)應用輔助電源解決方案，包括兩級式輔助電源架構和各種拓撲結構。第一級輔助電源通常使用反激拓撲，英飛凌的1700V CoolSiC? SiC MOSFET可以幫助客戶簡化設計。第二級輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓撲，英飛凌的2EP1XXR系列驅動IC可以提供簡單靈活的解決方案。
2025-03-17
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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實現硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。
2025-03-11
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貿澤電子與NXP聯(lián)合推出全新電子書，提供有關電動汽車電機控制的專業(yè)觀點
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子貿澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書，探討工業(yè)和汽車等系統(tǒng)的電氣化對于電機控制技術進步和創(chuàng)新的高依賴度。高效的電機控制系統(tǒng)對于實現出色的電動汽車 (EV) 性能至關重要。NXP的新電子書展示了設計工程師如何減少功率損耗并改善系統(tǒng)效率，以提高電動汽車的可靠性、行駛里程和安全性。
2025-03-11
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關的工作負載日益復雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術成為了焦點。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結構的關鍵參數解析、并聯(lián)振蕩現象的探討，以及實用的設計指導原則。接下來，文章將進一步闡述在并聯(lián)應用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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2025上海慕展：安芯易攜萬元“芯”意而來，亮點搶先看！
15場科技論壇，讓展會更有“深”度 作為全球電子科技領域的頂級展會之一，慕尼黑上海電子展（electronica China）已走過20年的輝煌歷程，它不僅是電子科技創(chuàng)新與技術交流的頂級平臺，更是匯聚全球智慧力量的科技盛宴。
2025-03-06
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安森美擬以每股35.10美元現金收購Allegro MicroSystems
安森美于美國時間3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱"Allegro") （美國納斯達克股票代號：ALGM）董事會提交的收購提案的詳情，以每股35.10美元的現金收購Allegro的所有已發(fā)行普通股，按完全稀釋后的股本計算，對應的隱含企業(yè)價值為69億美元。
2025-03-06
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。
2025-03-06
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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-03-03
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三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現在中國本地生產8英寸碳化硅這一目標穩(wěn)步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。
2025-02-27
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