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開關(guān)變壓器第七講 鐵芯磁滯損耗分析
由于變壓器鐵芯存在磁矯頑力，當(dāng)勵(lì)磁電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)變壓器鐵芯進(jìn)行磁化結(jié)束以后，磁通密度不能跟隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度下降到零；即：勵(lì)磁電流或磁場(chǎng)強(qiáng)度從最大值下降到零，但磁通密度卻不是跟隨磁場(chǎng)強(qiáng)度下降到零，而是停留在一個(gè)被稱為“剩磁”的剩余磁通密度Br位置上。
2009-07-13
磁滯損耗
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阿朗擬2.78億美元出售德國電動(dòng)機(jī)部門
據(jù)國外媒體今日?qǐng)?bào)道，三名知情人士透露，阿爾卡特朗訊準(zhǔn)備出售旗下德國電動(dòng)機(jī)廠商Dunkermotoren GmbH，目前正在尋求買家。
2009-07-11
阿爾卡特朗訊 電動(dòng)機(jī)
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CM1624：用于手機(jī)的microSD接口保護(hù)的濾波器
CaliforniaMicroDevices宣布推出用于移動(dòng)和計(jì)算設(shè)備的特定應(yīng)用microSD（微型安全數(shù)字）接口保護(hù)濾波器CM1624。CM1624保護(hù)microSD存儲(chǔ)卡用戶接口，使靜電放電(ESD)不會(huì)損壞卡或硬件，并抑制電磁干擾(EMI)，同時(shí)提供卓越的數(shù)字信號(hào)完整性。
2009-07-11
CM1624 濾波器 microDFN16 ESD保護(hù)
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國巨推出全尺寸電流感測(cè)電阻PT系列
國巨公司日前推出PT 系列電流感測(cè)電阻，具備領(lǐng)先業(yè)界的精確溫度系數(shù)特性，強(qiáng)化產(chǎn)品對(duì)電流感測(cè)的穩(wěn)定性，特別適用于高階可攜式應(yīng)用，如智慧型手機(jī)、小筆電和各類隨身型儲(chǔ)存產(chǎn)品。國巨PT 系統(tǒng)電流感測(cè)電阻已獲得國際大廠認(rèn)證，在2009 年2 月展開量產(chǎn)后，將于第二季開始出貨。PT 系列的推出，再次顯示...
2009-07-11
電流感測(cè)電阻 PT 系列 電源供應(yīng)器
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RECOM 推出全新20~50W PowerlinePlus轉(zhuǎn)換器
RECOM發(fā)表全新的20W~50W DC/DC轉(zhuǎn)換器PowerlinePlus系列，現(xiàn)有六款新模塊：RPP20-S_D、RPP20-S_DW、RPP30-S_D、RPP30-S_DW、RPP40-S、RPP50-S，采用RECOM新型ICE Technology，能使內(nèi)部熱損降到最低，并將大部份的熱傳導(dǎo)到周邊。
2009-07-11
PowerlinePlus 電源轉(zhuǎn)換器 RECOM RPP20-S_D RPP20-S_DW RPP30-S_D RPP30-S_DW RPP40-S RPP50-S
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FDMC8200：飛兆半導(dǎo)體推出雙MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。
2009-07-10
MOSFET FDMC8200 功率密度 效率
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大功率UPS無變壓器設(shè)計(jì)技術(shù)
采用無變壓器設(shè)計(jì)的UPS,雖然增加了逆變器的中線橋臂以及電池充放電轉(zhuǎn)換器,但與減少的磁性元件相比,總體來說成本降低了,并且減少了UPS的體積和重量,其重量是傳統(tǒng)UPS的50%或更低,占地面積為原來的60%,不需要后面和側(cè)面接線維修。
2009-07-10
無變壓器 UPS大功率UPS IGBT ABM技術(shù)
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冗余式UPS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
UPS自20世紀(jì)60年代問世以來，在全世界范圍內(nèi)得到了廣泛地推廣和應(yīng)用。由于傳統(tǒng)單機(jī)UPS存在諸多弊端，冗余式UPS逐漸得到了發(fā)展，其技術(shù)革新一直倍受關(guān)注。本文針對(duì)冗余式UPS發(fā)展的必然性，介紹冗余式UPS技術(shù)的未來發(fā)展趨勢(shì)。
2009-07-10
ups 冗余式UPS 高頻鏈技 總線互聯(lián)
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通過功率MOSFET的頂面溫度估算結(jié)點(diǎn)溫度
通常，MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的結(jié)點(diǎn)溫度數(shù)據(jù)只限于結(jié)到引腳和結(jié)到環(huán)境之間的熱阻。雖然可根據(jù)定制條件使用一些工具來實(shí)現(xiàn)更精確的熱仿真，但有時(shí)只需要時(shí)間來運(yùn)行仿真就可以了。
2009-07-09
功率MOSFET MOSFET 結(jié)點(diǎn)溫度
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