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如何選擇電源系統開關控制器的 MOSFET？
DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。
2021-11-19
電源系統 開關控制器 MOSFET
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如何在48V系統中輕松應用GaN FET？
GaN FET可以應用在48V電源系統中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器，工程師們常利用DSP數字解決方案來實現其高頻和高效率設計。然而，DSP解決方案因為需要額外的IC而增加了復雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器，它只需很少的器件，就可以讓設計人員像使用硅FET一樣簡單地設...
2021-11-17
48V系統 GaN FET
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保護器件過電應力失效機理和失效現象淺析
半導體元器件在整機應用端的失效主要為各種過應力導致的失效，器件的過應力主要包括工作環境的緩變或者突變引起的過應力，當半導體元器件的工作環境發生變化并產生超出器件最大可承受的應力時，元器件發生失效。應力的種類繁多，如表1，其中過電應力導致的失效相對其它應力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應力失效
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USB Type-C接口EMC設計及過壓防護方案
依托巨大的市場發展，智能手機在原有的通訊功能基礎上，正體現出其強大的功能擴展性。同時其高功耗也對智能手機的續航能力提出越來越高的要求。2014 年，Type-C 伴隨著最新的USB3.1 標準橫空出世，這類全新的接口形式，憑借其便捷的正反面拔插，大功率的供電，快速的傳輸速率等功能得到廣泛認可。但...
2021-11-15
USB Type-C EMC 過壓防護
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能否讓低壓放大器自舉來獲得高壓緩沖器？
當然是可以的！您可以采用具有出色輸入特性的運算放大器，并進一步提高其性能，使其電壓范圍、增益精度、壓擺率和失真性能均優于原來的運算放大器。
2021-11-10
低壓放大器 高壓緩沖器
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環路供電變送器設計的三種解決方案
環路供電變送器已經從純粹的模擬信號調理器發展為高度靈活的智能變送器，但所選擇的設計方法仍取決于系統的性能、功能和成本要求。
2021-11-10
環路供電變送器
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特基二極管和整流二極管的區別
整流二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大，多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用...
2021-11-10
特基二極管 整流二極管
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如何為UHF局部放電在線監測系統設計一個最好的前端？
發生局部放電時，會產生具有較寬頻率范圍的信號，因此有4種針對不同頻率范圍的局部放電檢測技術。超聲波檢測技術針對20 kHz至~200 kHz頻率范圍，高頻電流互感器(HFCT)檢測技術針對3 MHz至~30 MHz頻率范圍，瞬態接地電壓(TEV)檢測技術針對3 MHz至~100 MHz頻率范圍，超高頻率(UHF)檢測技術針對300 MHz...
2021-11-09
UHF局部放電 在線監測系統
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高壓雙向觸發器件SIDAC的特點及其應用
在電子鎮流器中廣泛采用的雙向觸發器件是DB3，其觸發開通電壓在30V左右，觸發電流較小(mA級)，導通后的殘余電壓在20V左右，這些特點決定了只能用于小電流的觸發電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current)，它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容...
2021-11-09
高壓雙向觸發器 SIDAC 應用
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