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聚合物電容全景解析：從納米結構到千億市場的國產突圍戰
聚合物電容以導電聚合物或高分子材料作為電解質核心，通過精密結構設計實現電荷高效存儲與釋放。其核心構造包含四大關鍵層：金屬陽極（鋁箔或鉭燒結體）、介質氧化層（Al?O?或Ta?O?）、導電聚合物陰極（如PEDOT）、以及外部封裝材料。當電壓施加時，陽極形成納米級介質層（厚度僅0.5-1nm），配合高...
2025-07-07
聚合物電容選型 低ESR電容 車規級電容 國產電容替代 vPolyTan AEC-Q200電容高頻電路濾波
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KEMET T495/T520 vs AVX TAJ鉭電容深度對比：如何選擇更適合你的設計？
在高端電子系統中，鉭電容憑借超高容量密度與低ESR特性成為核心儲能元件。KEMET與AVX作為全球兩大巨頭，其旗艦產品T495/T520系列（聚合物陰極）與TAJ系列（二氧化錳陰極）代表了兩種技術路線的巔峰對決。本文基于實測參數與供應鏈數據，深度解析兩大方案在材料工藝、電氣性能、場景適配及成本控制的...
2025-07-07
KEMET 鉭電容 AVX TAJ系列 T495/T520對比 鉭電容選型指南 ESR參數對比 鉭電容應用場景
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鉭電容技術全景解析：從納米級介質到AI服務器供電革命
鉭電容以五氧化二鉭（Ta?O?）介質層為核心，通過高純度鉭粉燒結形成多孔陽極基體，經電化學氧化生成僅0.5-1nm的絕緣介質層，再覆蓋二氧化錳或聚合物陰極構成電荷存儲體系16。其介電常數達27，遠超鋁電解電容的8-10，賦予其超高容量密度（200μF/mm3）、低ESR（最低0.05Ω）及寬溫穩定性（-55℃~125℃容...
2025-07-04
鉭電容 選型指南 鉭電容與MLCC區別 聚合物鉭電容 車規級鉭電容 國產鉭電容品牌 高密度電路電容設計
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溫漂±5ppm的硬核科技：車規薄膜電阻在衛星與6G中的關鍵作用
隨著汽車雷達向79GHz演進、低軌衛星互聯網加速部署、6G微基站啟動原型驗證，車規薄膜電阻正突破傳統應用邊界，成為高頻高可靠電子系統的隱形守護者。
2025-07-03
車規薄膜電阻 AEC-Q200認證 毫米波雷達信號鏈 低軌衛星載荷 6G微基站 高精度電阻 抗干擾電阻
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1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機驅動、電動汽車及可再生能源系統的隱形戰場——輔助電源系統中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業痛點：在確保多源采購靈活性的前提下，同步實現系統尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
Wolfspeed 碳化硅 1700V SiC MOSFET 輔助電源 電機驅動供電方案 EV充電器待機電源 多源采購策略
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重磅公告！意法半導體2025年Q2業績發布及電話會議時間確定
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財務數據。
2025-07-02
意法半導體 財報 電話會議時間
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超級電容技術全景解析：從物理原理到選型實踐，解鎖高功率儲能新紀元
超級電容器（又稱雙電層電容器，EDLC）是一種通過電極與電解液界面形成的雙電層效應存儲電能的新型儲能器件。與傳統電容器不同，超級電容利用多孔碳電極表面形成的納米級雙電層結構（ Helmholtz層），在電極/電解液界面實現電荷分離存儲能量。這種物理儲能機制使其無需化學反應即可實現能量的快速存...
2025-07-02
超級電容 雙電層電容器
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中國半導體行業高質量發展創新成果榜單發布
本次榜單聚焦設計、制造、封裝、測試、材料、裝備等關鍵環節,旨在通過標桿示范推動行業技術突破與生態協同,助力中國半導體產業實現高質量發展。
2025-07-01
半導體行業
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第八屆中國 IC 獨角獸榜單發布
本次評選聚焦集成電路全產業鏈,旨在挖掘具有高成長性和技術突破的創新企業,通過系統化估值與行業賦能,助力中國半導體產業在全球競爭中實現高質量發展。
2025-07-01
中國 IC 獨角獸
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