【導讀】二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、開關二極管等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個“PN結”。由于是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。
晶體二極管的分類
一、根據構造分類
半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：
點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。
鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
擴散型二極管
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。
臺面型二極管
PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。
平面型二極管
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
合金擴散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。
外延型二極管
用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。
肖特基二極管
基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。
二、根據用途分類
檢波用二極管
就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
整流用二極管
就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：①硅半導體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
限幅用二極管
大多數二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據限制電壓需要，把若干個必要的整流二極管串聯起來形成一個整體。
調制用二極管
通常指的是環形調制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變容二極管也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。
混頻用二極管
使用二極管混頻方式時，在500～10,000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點接觸型二極管。
放大用二極管
用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。
開關用二極管
有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平面接觸為高速開關電路用；用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。
變容二極管
用于自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。
結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。
頻率倍增用二極管
對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。
穩壓二極管
是代替穩壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態，硅材料制作，動態電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。
PIN型二極管（PIN Diode）
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。
雪崩二極管(Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電流和電壓關系上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。
江崎二極管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”代表“峰”；而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。
快速關斷（階躍恢復）二極管(Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成“自助電場”。由于PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個“存貯時間”后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場”縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。
阻尼二極管
具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
瞬變電壓抑制二極管
TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
雙基極二極管（單結晶體管）
兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。
發光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。
三、根據特性分類
點接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下。
一般用點接觸型二極管
這種二極管正如標題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。
高反向耐壓點接觸型二極管
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。
高反向電阻點接觸型二極管
正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。
高傳導點接觸型二極管
它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。
二極管選型注意事項：
二極管參數需降額使用，參考《降額規范》，請關注《硬件十萬個為什么》發送“規范”。
發光二極管：
1) 發光二極管優選直徑為5mm的插腳型號.貼片發光二極管優選選用有焊接框架的型號，ESD/MSL等級遵循上述的標準。
2) 發光二極管優選有邊、短腳的；為了保持公司產品的一致性，紅發紅、綠發綠等型號優選，白發紅、白發綠等型號慎選；如果沒有特殊要求，盡量不要使用長腳、無邊的。
3) 發光二極管優選品牌為“億光”。
快恢復二極管：
1)低電壓（耐壓值200V以下）下，高時間特性時選肖特基二極管；
2)肖特基管熱阻和電流都較大，優選分立式封裝。通常3A以下可以選擇SOD-123或D-64封裝；3～8A可以選擇D2－PAK封裝；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。
3)在高電壓時選擇PIN結構快恢復二極管。
整流二極管：
1)主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數；
2)開關電源整流、脈沖整流用整流二極管，宜選工作頻率較高、反向恢復時間較短、或選快恢復二極管。
3)低電壓、大電流時整流，選肖特基二極管。
4)同電流等級優先選擇反壓最高的型號.如1A以下選用1N4007（M7），3A的選用IN5408。
肖特基二極管：
同電流檔次的保留反壓最高的等級，如：1N5819保留,1N5817禁選， SS14保留，SS12禁選;B340A保留。
穩壓二極管：
1)穩定電壓值應與應用電路的基準電壓值相同；
2)最大穩定電流高于應用電路的最大負載電流50%左右；
3)穩壓管在選型時務必注意器件功率的降額處理。實際功率應小于0.5×P。
4)功率在0.5W以下的型號選擇貼片式封裝，0.5W及以上選擇直插式封裝
瞬態抑制二極管：
1)Vrmax（最大反向工作電壓）≥正常工作電壓。
2)Vcmax（最大鉗位電壓）≤最大允許安全電壓。常規CMOS電路電源電壓為3～18V，擊穿電壓為22V，則應選Vcmax為18～22V的TVS管。
3)Pp（瞬態脈沖功率的最大值）=最大峰值脈沖電流Ipmax與Vcmax。Pp大于被保護器件或線路的最大瞬態
4)浪涌功率。
5)品牌：優選NXP和ON。
二極管的檢測（以肖特基為例）
肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。
1．性能比較
下表列出了肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
2．檢測方法
下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二極管的方法。檢測內容包括：①識別電極；②檢查管子的單向導電性；③測正向導壓降VF；④測量反向擊穿電壓VBR。
被測管為B82-004型肖 特基管，共有三個管腳，將管腳按照正面（字面朝向人）從左至右順序編上序號①、②、③。選擇500型萬用表的R×1檔進行測量，全部數據整理成下表：
測試結論：
第一，根據①—②、③—④間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。
第二，因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。
第三，內部兩只肖特基二極管的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V，均低于手冊中給定的最大允許值VFM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬用表的250VDC檔測出，內部兩管的反向擊穿電壓VBR依次為140V、135V。查手冊，B82-004的最高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。表明留有較高的安全系數.
二極管的參數解釋
常規參數：正向壓降、反向擊穿電壓、連續電流、反向漏電等；
交流參數：開關速度、存貯時間、截止頻率、阻抗、結電容等；
極限參數：最大耗散功率、工作溫度、存貯條件、最大整流電流等。
我們知道二極管具有容易從P型向N型半導體通過電流,而在相反方向不易通過的的特性。這兩種特性合起來就產生了電容器的作用,即蓄積電荷的作用。蓄積有電荷,當然要放電。放電可以在任何方向進行。而二極管只在一個方向有電流流過這種說法,嚴格來說是不成立的。這種情況在高頻時就明顯表現出來。因此,二極管的極電容以小為好。
最大額定值
最大反向峰值電壓VRM 即使沒有反向電流,只要不斷地提高反向電壓,遲早會使二極管損壞。這種能加上的反向電壓,不是瞬時電壓,而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓,它的最大值是規定的重要因子。
最大直流反向電壓VR 上述最大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓,VR是連續加直流電壓時的值。用于直流電路,最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。
最大浪涌電流Isurge
允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個值相當大。
最大平均整流電流IO
在半波整流電路中,流過負載電阻的平均整流電流的最大值。這是設計時非常重要的值。
最大交流輸入電壓VI
在半波整流電路(電阻負荷)上加的正弦交流電壓的有效值。這也是選擇整流器時非常重要的參數。最大峰值正向電流IFM 正向流過的最大電流值,這也是設計整流電路時的重要參數。
最大功率P
二極管中有電流流過,就會吸熱,而使自身溫度升高。最大功率P為功率的最大值。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流。這個極限參數對穩壓二極管,可變電阻二極管顯得特別重要。
反向電流IR
一般說來,二極管中沒有反向電流流過,實際上,加一定的反向電壓,總會有電流流過,這就是反向電流。不用說,好的二極管,反向電流較小。
反向恢復時間tre
指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。從正向電壓變成反向電壓時,理想情況是電流能瞬時截止,實際上,一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量,就是反向恢復時間。雖然它直接影響二極管的開關速度,但不一定說這個值小就好。
IF— 最大平均整流電流。
指二極管期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。
VR— 最大反向工作電壓。
指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4007的VR為1OOOV.
IR— 反向電流。
指二極管未擊穿時反向電流值。溫度對IR的影響很大。例如1N4000系列二極管在100°C條件IR應小于500uA;在25°C時IR應小于5uA。
VR— 擊穿電壓。
指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
fm— 最高工作頻率。
主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。
CO— 零偏壓電容。
指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于1OuA，而在 100°C時IR則變為小于500uA。
穩壓二極管的主要參數
Vz— 穩定電壓。
指穩壓管通過額定電流時兩端產生的穩定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由于制造工藝的差別，同一型號穩壓管的穩壓值也不完全一致。例如，2CW51型穩壓管的Vzmin為3.0V, Vzmax則為3.6V。
Iz— 穩定電流。
指穩壓管產生穩定電壓時通過該管的電流值。低于此值時，穩壓管雖并非不能穩壓，但穩壓效果會變差;高于此值時，只要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩壓性能會好一些，但要多消耗電能。
Rz— 動態電阻。
指穩壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態電阻則愈小。例如，2CW7C穩壓管的工作電流為 5mA時，Rz為18Ω;工作電流為1OmA時，Rz為8Ω;為20mA時，Rz為2Ω ; > 20mA則基本維持此數值。
Pz— 額定功耗。
由芯片允許溫升決定，其數值為穩定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mWo
Ctv— 電壓溫度系數。
是說明穩定電壓值受溫度影響的參數。例如2CW58穩壓管的Ctv是+0.07%/°C，即溫度每升高1°C，其穩壓值將升高0.07%。
IR— 反向漏電流。
指穩壓二極管在規定的反向電壓下產生的漏電流。例如2CW58穩壓管的VR=1V時，IR=O.1uA;在VR=6V時，IR=10uA。
其他參數
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極管穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重復峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極管）
VL ---極限電壓
推薦閱讀：
