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開關電源中的安規電容
這個器件的種類，可以通過查看它上面的銘文來確定。?可以看到上面的標識符為JNC， JY102M。?通過網絡查找該型號器件，?可以知道它屬于安規電容。?它的容量為1000pF，?耐壓為400V。?至于什么是“安規電容”，可以通過網絡查到相應的說明。??在這里就不再重復了。?總之，在這里它就是一個電容器件。
2022-12-30
開關電源 安規電容
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儲能系統提升智能電網的應用效率
受到國際局勢與能源產量變化的影響，世界各國都面臨著能源短缺的壓力，除了一方面增加能源的產能與來源之外，通過技術的協助來降低能源的損耗，也是重要的發展方向。本文將為您介紹智能電網應用的發展，以及由 ADI 所推出的儲能系統 (ESS) 解決方案的功能特性與優勢。
2022-12-30
儲能系統 智能電網 應用效率
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儲能系統解決方案改善能源的應用效率
隨著世界局勢動蕩以及電力需求的增加，能源已經成為世界各國都需要面對的重要議題，除了積極提高電力的產能之外，如何善用儲能系統（ESS）來保存與調節電力需求，便成為目前科技的重要發展方向之一。本文將為您介紹ESS的技術發展，以及由艾睿電子推出的ESS解決方案的功能特性。
2022-12-29
儲能系統 解決方案 應用效率
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電機驅動數字化制造的N個樣本
中國及全球主要工業國家都正在推動工業和制造領域的轉型，通過提升數字化水平和生產效率來抵消勞動力短缺和成本上漲。國內“十四五”規劃擬將工業互聯網平臺應用的普及率從15%提高到45%，并在產品研發、制造執行、內部運營、維護服務和類似的流程中，將管理和運營的數字化比例從55%提高到68%。工業數...
2022-12-28
電機驅動 數字化制造
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淺談碳化硅壽命中的挑戰
功率半導體作為電力電子行業的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優化的技術和成本優勢主導了整個電力電子行業，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
2022-12-26
碳化硅 功率半導體
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保護時間
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雙極性步進電機（上）：控制模式
步進電機具有獨特的開環位置控制性能，這使它在智能時代廣受歡迎。為確保步進電機在旋轉時輸出扭矩的平滑，需要考慮每個器件獨特的需求。而電機旋轉的穩定性則與其物理結構和控制模式密切相關。
2022-12-22
步進電機 結構 控制模式
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低...
2022-12-22
碳化硅 技術 儲能系統
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使用控制器保護您的高邊開關
在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠環境中運行的執行器中使用的高邊開關電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發生這些情況時采取適當措施防止損壞。
2022-12-21
控制器 高邊開關
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