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電路保護

變頻器過電壓的原因及其對策

所謂變頻器的過電壓，是指由于種種原因造成的變頻器電壓超過額定電壓，集中表現在變頻器直流母線的直流電壓上。電源過電壓是指因電源電壓過高而使直流母線電壓超過額定值。而現在大部分變頻器的輸入電壓最高可達460V，因此，電源引起的過電壓極為少見.本文主要討論的問題是再生過電壓。

2009-12-02

變頻器再生制動能量回饋

防雷擊浪涌的開關電源電路設計

瞬間高電壓的雷擊浪涌以及信號系統浪涌是引起儀表穩定性差的重要原因，信號系統浪涌電壓的主要來源是感應雷擊、電磁干擾(EMI)、無線電干擾和靜電干擾。金屬物體(如電話線)受到這些干擾信號的影響，會使傳輸中的數據產生誤碼，影響傳輸的準確性和傳輸速率。如何設計防雷電路成為儀表研發的關鍵問題。...

2009-12-02

雷擊浪涌開關電源儀表研發

中小型斷路器的正確選擇

常用斷路器可分為配電型斷路器、電機保護型斷路器、家用保護型斷路器、漏電斷路器等,本文根據它們的保護特性不同,介紹正確選擇常用斷路器依據原則與方法以及怎樣使用斷路器,希望能夠起到拋磚引玉作用,避免因誤選斷路器帶來的危害。

2009-11-27

斷路器電路保護漏電過載短路

FDFMA2P859T:飛兆半導體推出行業領先的薄型封裝MOSFET

飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現推出行業領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作，開發了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...

2009-11-25

飛兆半導體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET

PolySwitch元件動作保護特性分析

本文根據PolySwitch元件的動作特點，建立了PolySwitch元件動作保護特性的數學模型。比較表明，根據該數學模型繪制的仿真曲線與PolySwitch元件手冊中給出的動作保護特性曲線形態一致，且與實測數據基本吻合。

2009-11-20

PolySwitch 自恢復保險絲線路保護

ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定

對于電子系統設計人員而言，如果沒有采取適當的ESD保護措施，所設計的電子產品就會有遭到損傷的可能。因此，電子系統設計中的一項重要課題便是確保使其能夠承受ESD的沖擊，并繼續正常工作。

2009-11-13

靜電放電 ESD CMOS 保護器件

電路保護和電磁兼容技術研討會開幕

今天上午《電路保護和電磁兼容技術研討會》開幕。本屆研討會由電子元件技術網成立以來主辦的第三屆，前兩次會議分別在深圳和成都舉辦，受到工程師朋友的好評，這是該會第一次走近上海的工程師朋友，演講廠商挑選和題目的設置方面都切合了上海為首的華東市場的特點。華東市場（江蘇、浙江、上海...

2009-11-12

電路保護電磁兼容高頻高速 SHCEF

三大廠商論劍過壓保護解決之道

在做過電壓/ESD防護設計時，有很多種器件可以選擇，例如壓敏電阻、半導體過壓保護器件、TVS、氣體防雷管。壓敏電阻能夠吸引能量，并且有EMC功能；氣體放電管通流量可達上百千安培，但反應較慢；半導體過壓保護器件開啟電壓的一致性好，可靠性很高，響應速度很快；TVS體積小，反應速度快，結電容超低...

2009-11-12

電路保護電磁兼容過壓保護 ESD防護 SHCEF

探討保險絲的選型與誤區

整機系統設計工程師選用保險絲時，需要清楚的了解保險絲的性能，同時，系統設計工程師需要在眾多保險絲品牌中作出選擇，往往會陷入選擇的困惑。針對上述問題，我們采訪了AEM科技（蘇州）有限公司的資深應用工程師陳峰，陳峰分享了保險絲選型時應該特別注意的問題。

2009-11-07

片式保險絲 AEM 保險絲的選型

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