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奧飛聲學(xué)劉端:回皖創(chuàng)業(yè),用創(chuàng)新推動MEMS市場
隨著城市發(fā)展、工業(yè)進(jìn)步和生活水平的提升,智能傳感器的市場正在高速增長,尤其以半導(dǎo)體微納工藝制造的MEMS傳感器,得到了廣泛的應(yīng)用。我們身邊的手機(jī)、汽車、智能家電等,都使用了大量的MEMS傳感器。近年來,MEMS傳感器保持高速增長,廣泛的應(yīng)用產(chǎn)生了巨大的市場。
2023-07-27
奧飛聲學(xué) MEMS
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輔助駕駛毫米波雷達(dá)信號處理流程詳解
毫米波雷達(dá)大規(guī)模用于汽車輔助駕駛的傳感器,由于受氣象變化、可見光強(qiáng)弱影響較小,測距較精準(zhǔn),可以和攝像頭取長補(bǔ)短,共同實(shí)現(xiàn)可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主動安全配置(AEB)性能測試要求,而2021年版C-NCAP調(diào)高了主動安全部分權(quán)重【1】。交通運(yùn)輸部發(fā)布了《營運(yùn)車輛自動緊急制動系統(tǒng)性能...
2023-07-26
輔助駕駛毫 米波雷達(dá) 信號處理
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件...
2023-07-26
SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器
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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統(tǒng)通常都會提供一個 USB 充電端口,該端口需要在傳輸數(shù)據(jù)的同時為移動設(shè)備充電。對這些系統(tǒng)而言,選擇帶 USB 限流開關(guān)的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1,以及如何將其高效率的優(yōu)勢應(yīng)用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應(yīng)用中。
2023-07-25
USB Type-C 充電器 控制芯片
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借助更多的選項(xiàng)響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時候會變成正反饋?當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇,同時支持更高的設(shè)計(jì)靈活性,從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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華潤微總裁李虹:中國半導(dǎo)體市場下滑趨勢有到底跡象!
6月17日,在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇(2023 IC NANSHA)上,國內(nèi)IDM大廠華潤微(SH688396)總裁李虹在演講中表示,中國半導(dǎo)體市場規(guī)模在過去的一年當(dāng)中,增速弱于全球,呈現(xiàn)周期性衰退,但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
華潤微 中國半導(dǎo)體 市場下滑
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括:互補(bǔ)輸入(IN+ 和 IN-),開漏故障(1686908889869977.png)和就緒 (RDY) 輸出,復(fù)位或清除故障功能(1686908875512772.png),有源米勒箝位 (CLAMP),去飽和保護(hù) (DESAT),去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動器 設(shè)計(jì)技巧
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百度智能云AI技術(shù)加身,自動駕駛量變到質(zhì)變倍道兼行
當(dāng)前,自動駕駛技術(shù)的發(fā)展可謂日新月異,不過離最高級別還相去甚遠(yuǎn)。2022年,自動駕駛行業(yè)在喜憂參半中前行,一方面,眾多自動駕駛公司估值縮水、裁員倒閉,高級別自動駕駛技術(shù)商業(yè)化落地尚需時日;另一方面,國內(nèi)自動駕駛利好政策密集出臺,首次實(shí)現(xiàn)立法突破,自動駕駛測試區(qū)不斷增加。
2023-07-20
百度智能云 AI 自動駕駛
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項(xiàng)
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn),并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅(qū)動 注意事項(xiàng)
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